[实用新型]一种湿制程晶体硅双层叠合干法分离装置有效
申请号: | 201820576363.3 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN208127218U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 蒋新;刘礼勇;魏凯;施利君 | 申请(专利权)人: | 苏州晶洲装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人: | 项丽 |
地址: | 215555 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种湿制程晶体硅双层叠合干法分离装置,它包括容置器,所述容置器具有承托面和开口;晶体硅花篮,所述晶体硅花篮置放于所述容置器中的所述承托面上,所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽,每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅;电加热组件,所述电加热组件安装在所述容置器中,所述电加热组件包括布置在所述容置器内容空间中的至少一个电加热件。电加热件能在被加热物体内部直接生热,热效率高、升温速度快,并可根据加热的工艺要求,实现整体均匀加热。电加热件可以较快地使双层叠合的晶体硅之间的水分完全干燥从而使得晶体硅间相互作用力(表面张力、摩擦力等)降低,使晶体硅分离。 | ||
搜索关键词: | 晶体硅 容置器 电加热组件 电加热件 双层叠合 花篮 干法分离 插置槽 湿制程 被加热物体 本实用新型 并列设置 工艺要求 均匀加热 内容空间 热效率 承托面 插置 承托 生热 相叠 置放 加热 开口 | ||
【主权项】:
1.一种湿制程晶体硅双层叠合干法分离装置,其特征在于,它包括:容置器(1),所述容置器(1)具有承托面(111)和开口(112);晶体硅花篮(2),所述晶体硅花篮(2)置放于所述容置器(1)中的所述承托面(111)上,所述晶体硅花篮(2)的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽(21),每个所述插置槽(21)中可同时插入两片相叠的晶体硅(7);电加热组件(3),所述电加热组件(3)安装在所述容置器(1)中,所述电加热组件(3)包括布置在所述容置器(1)内容空间中的至少一个电加热件(31)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶洲装备科技有限公司,未经苏州晶洲装备科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820576363.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的