[实用新型]驱动电路结构有效

专利信息
申请号: 201820588607.X 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN208317059U 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 刘竹;方绍明;彭军其;林晓楷 申请(专利权)人: 厦门元顺微电子技术有限公司;深圳元顺微电子技术有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 代理人: 乐珠秀
地址: 361008 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种驱动电路结构。所述驱动电路结构包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管,所述控制芯片内部具有过流保护电路:所述控制芯片的所述过流保护电路还具有电流采样电阻;所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管,所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上;所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端;所述镜像电流VDMOS管的源极与所述电流采样电阻的采样端串联。所述驱动电路结构的驱动效率得到提升。
搜索关键词: 控制芯片 驱动电路 镜像电流 电流采样电阻 过流保护电路 漏极 电压输入端 驱动效率 采样端 衬底 外置 源极 半导体 串联
【主权项】:
1.一种驱动电路结构,包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管,所述控制芯片内部具有过流保护电路,其特征在于:所述控制芯片的所述过流保护电路还具有电流采样电阻;所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管,所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上;所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端;所述镜像电流VDMOS管的源极与所述电流采样电阻的采样端串联。
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