[实用新型]一种n层射频基板

摘要

本实用新型公开了一种n层射频基板，所述的射频基板包括n层基板衬底和n‑1层填充介质，n≥4；所述的基板衬底由上至下依次为第一金属层至第n金属层，依次记为M1至Mn，其中Mn接地；所述的n层基板衬底之间均由介质填充，共有n‑1层，从上到下依次为第一介质层至第n‑1介质层，介电常数依次记为ε1至ε(n‑1)，厚度依次记为d1至d(n‑1)；通过选择ε1和d1来调节M1‑M2层叠耦合器的性能，通过选择ε2和d2来调节M1‑M2绕线电感Q值，通过选择介电常数ε(n‑1)和d(n‑1)来调节到地电容，通过选择d(n‑1)来调节隔离性能。本实用新型能够方便自主地根据需要进行选择，在优化性能的同时优化面积，从而在相同面积上实现更多的电子元器件功能，提高集成度。

主权项

1.一种n层射频基板，其特征在于，包括n层基板衬底和n‑1层填充介质，n≥4；所述的基板衬底由上至下依次为第一金属层至第n金属层，依次记为M1至Mn，其中Mn接地；所述的n层基板衬底之间均由介质填充，共有n‑1层，从上到下依次为第一介质层至第n‑1介质层，介电常数依次记为ε1至ε(n‑1)，其中第一介质层的ε1≥4.2，第二介质层的ε2≤3.7，厚度依次记为d1至d(n‑1)；所述的第一介质层采用6785GT_K，所述的第二介质层采用GEA‑705G，d1≤40μm，d2≥60μm。