[实用新型]半导体结构和芯片有效
| 申请号： | 201820689017.6 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN208400845U | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 胡建波;方绍明;刘义 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;深圳元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62;H01L23/64 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 乐珠秀 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种半导体结构和芯片。所述半导体结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的二极管，所述二极管包括第一类型区和第二类型区；分压电阻，所述分压电阻位于所述第一类型区上方，所述分压电阻与所述第一类型区之间具有绝缘层；所述分压电阻具有第一端、分压端和第二端，所述第一端电连接所述第一类型区，所述第二端电连接所述第二类型区。所述半导体结构能够使相应的芯片在不需要与PCB上的独立分压电阻配合的情况下，就具有可靠的抗高压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分压电阻 半导体结构 二极管 芯片 第一端 电连接 衬底 半导体 绝缘层 分压端 抗高压 配合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的二极管，所述二极管包括第一类型区和第二类型区；其特征在于，还包括：分压电阻，所述分压电阻位于所述第一类型区上方，所述分压电阻与所述第一类型区之间具有绝缘层；所述分压电阻具有第一端、分压端和第二端，所述第一端电连接所述第一类型区，所述第二端电连接所述第二类型区。
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