[实用新型]半导体封装和CISCSP有效
申请号: | 201820698200.2 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN208589446U | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 徐守谦 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/485 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王美石;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体封装和CISCSP封装。半导体封装的实施方式可包括:半导体管芯,所述半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘,所述第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口。耦接到所述第一介电层的第二介电层的厚度可大于或等于所述第一介电层的厚度,并且所述第二介电层可具有与所述第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口。多个凸块可与所述多个焊盘耦接到达所述第一介电层和所述第二介电层中的所述多个开口中。所述半导体封装还可包括凸块密封材料,所述凸块密封材料沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸。所述封装可与母板耦接而不使用底部填充材料。 | ||
搜索关键词: | 介电层 半导体封装 焊盘 凸块 开口 半导体管芯 密封材料 封装 底部填充材料 本实用新型 向上延伸 母板 耦接 穿过 侧面 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:半导体管芯,所述半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘,所述第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口;耦接到所述第一介电层的第二介电层,所述第二介电层具有与所述第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口,其中所述第二介电层的所述多个开口的宽度大于所述第一介电层的所述多个开口的宽度;多个凸块,所述多个凸块与所述多个焊盘耦接到达所述第一介电层的所述多个开口中以及所述第二介电层的所述多个开口中;和凸块密封材料,所述凸块密封材料设置在所述多个凸块周围并且沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸;其中所述半导体封装被配置为与母板耦接而不在所述多个凸块与所述母板之间使用底部填充材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820698200.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的