[实用新型]半导体封装和CISCSP有效

专利信息
申请号: 201820698200.2 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN208589446U 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 徐守谦 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/485
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王美石;姚开丽
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及半导体封装和CISCSP封装。半导体封装的实施方式可包括:半导体管芯,所述半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘,所述第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口。耦接到所述第一介电层的第二介电层的厚度可大于或等于所述第一介电层的厚度,并且所述第二介电层可具有与所述第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口。多个凸块可与所述多个焊盘耦接到达所述第一介电层和所述第二介电层中的所述多个开口中。所述半导体封装还可包括凸块密封材料,所述凸块密封材料沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸。所述封装可与母板耦接而不使用底部填充材料。
搜索关键词: 介电层 半导体封装 焊盘 凸块 开口 半导体管芯 密封材料 封装 底部填充材料 本实用新型 向上延伸 母板 耦接 穿过 侧面 暴露
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:半导体管芯,所述半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘,所述第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口;耦接到所述第一介电层的第二介电层,所述第二介电层具有与所述第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口,其中所述第二介电层的所述多个开口的宽度大于所述第一介电层的所述多个开口的宽度;多个凸块,所述多个凸块与所述多个焊盘耦接到达所述第一介电层的所述多个开口中以及所述第二介电层的所述多个开口中;和凸块密封材料,所述凸块密封材料设置在所述多个凸块周围并且沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸;其中所述半导体封装被配置为与母板耦接而不在所述多个凸块与所述母板之间使用底部填充材料。
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