[实用新型]基于可控硅的温度控制器

摘要

一种基于可控硅的温度控制器，其包括由比较器A1、三极管T1、T2、热敏电阻RT、可变电阻R1、电阻R2‑R8、电解电容C1组成的温度检测电路；由运算放大器A2、电阻R9‑R10、三极管T3、T4、电阻R11‑R12、电容C2‑C3、时基集成电路IC1组成的方波发生器电路；由光耦GE1、双向可控硅KG1组成的功率放大电路；温度检测电路将加热温度与设定值比较，加热温度与设定值相等时电解电容C1的电压会保持在合适的值上，电解电容C1的电压控制方波发生器的方波的占空比来调节双向可控硅KG1的加热功率，当加热温度与设定值相等时，加热量接近散热量，使控温度的波动范围大大降低，实现温度恒定。

主权项

1.一种基于可控硅的温度控制器，其包括温度检测电路、方波发生器电路、功率放大电路；其特征是，所述的温度检测电路包括正温度系数的热敏电阻RT、比较器A1、三极管T1、三极管T2，热敏电阻RT的一端接比较器A1的同相输入端，热敏电阻RT的另一端接地，比较器A1的同相输入端通过可变电阻R1接稳压电源V+，比较器A1的反相输入端通过电阻R2接稳压电源V+，比较器A1的反相输入端通过电阻R3接地；比较器A1的输出端通过电阻R5接三极管T1的基极，三极管T1的基极通过电阻R4接稳压电源V+，三极管T1的发射极接稳压电源V+，三极管T1的集电极通过电阻R8接电解电容C1的正极，电解电容C1的负极接地；比较器A1的输出端通过电阻R6接三极管T2的基极，三极管T2的基极通过电阻R7接地，三极管T2的发射极接地，三极管T2的集电极接三极管T1的集电极；稳压电源V+接比较器A1的一电源输入端，稳压电源V‑接比较器A1的另一电源输入端；所述的方波发生器电路包括运算放大器A2、三极管T3、时基集成电路IC1，运算放大器A2的同相输入端接电解电容C1的正极，运算放大器A2的反相输入端通过电阻R9接地，运算放大器A2的反相输入端与输出端之间接有电阻R10；三极管T3的基极接运算放大器A2的输出端，三极管T3的发射极通过电阻R11接稳压电源V+，三极管T3的集电极接电容C2的一端，电容C2的另一端接地，电容C2的一端接时基集成电路IC1的引脚2和引脚6，时基集成电路IC1的引脚7接三极管T3的发射极，三极管T4的基极接运算放大器A2的输出端，三极管T4的集电极接三极管T3的集电极，三极管T4的发射极通过电阻R12接时基集成电路IC1的引脚7，时基集成电路IC1的引脚3输出方波信号；时基集成电路IC1的引脚4和引脚8接稳压电源V+，时基集成电路IC1的引脚1接地，时基集成电路IC1的引脚5通过电容C3接地；所述的功率放大电路包括光耦GE1、双向可控硅KG1，时基集成电路IC1的引脚3接光耦GE1的发光二极管的阳极，光耦GE1的发光二极管的阴极通过电阻R13接地，光耦GE1的光电触发二极管一端接双向可控硅的控制极，光电触发二极管另一端通过电阻R14接双向可控硅的第一电极，双向可控硅的第一电极接电热器RL的一端，电热器RL的另一端接市电的相线a，双向可控硅的第二电极接市电的零线0。