[实用新型]一种过温保护电路有效
申请号: | 201820716702.3 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN208226554U | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 刘志明 | 申请(专利权)人: | 合肥市汤诚集成电路设计有限公司 |
主分类号: | H02H5/04 | 分类号: | H02H5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种过温保护电路,包括比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一开关、第二开关、第三开关;本实用新型提供一种过温保护电路,能够通过开关切换设置多个过温点,扩大电路的应用范围,并实现当芯片温度高于设置时,通过迟滞比较器输出过温保护信号,控制芯片进入温度保护状态。 | ||
搜索关键词: | 电阻 过温保护电路 二极管 本实用新型 过温保护信号 迟滞比较器 第一开关 开关切换 控制芯片 温度保护 比较器 电路 芯片 输出 应用 | ||
【主权项】:
1.一种过温保护电路,包括比较器、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第一开关(S1)、第二开关(S2)、第三开关(S3);所述比较器其特征在于:包括正输入端,负输入端,输出端;第一NMOS管的源极与第一二极管的正极相连接,第一二极管的负极与地相连接,所述第一NMOS管的栅极和漏极短接,并与第二NMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极相连接,第二NMOS管的源极与第五电阻的一端相连接,第五电阻的另一端与第二二极管的正极相连接,第二二极管的负极与地相连接,第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极、源极相连接,第二NMOS管的漏极还与第一PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极相连接,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极均与电源电压相连接,第三PMOS管的漏极与第一电阻的一端相连接,第三PMOS管的漏极还与比较器的负输入端相连接,第一电阻的另一端与第三二极管的正极相连接,第三二极管的负极与地相连接,第四PMOS管的漏极与第二电阻的一端相连接,第五PMOS管的漏极与第三电阻的一端,第六PMOS管的漏极与第四电阻的一端相连接。
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