[实用新型]一种基于GeTe的双功能器件有效
| 申请号： | 201820727748.5 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN208078025U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王浩;何玉立;马国坤;刘春雷;陈傲;陈钦 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于GeTe的双功能器件，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。本实用新型通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。另外，本实用新型提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大提高了器件的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜介质层 本实用新型 双功能器件 底电极 互补型 阻变存储器 常规记忆 存储元件 功能可用 三层结构 十字交叉 有效解决 阻态切换 顶电极 串扰 薄膜 转换 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述器件包括三层结构：顶电极、GeTe薄膜介质层和底电极。
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