[实用新型]一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风有效

专利信息
申请号: 201820763847.9 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN208317008U 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 吴丽翔;王俊力 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱月芬
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风。现有电容式MEMS麦克风不具备选用或调节麦克风的拾音频率范围功能。本实用新型由下向上依次包括硅衬底、SiO2刻蚀停止层、下多晶硅圆环电极、SiO2支撑层、上多晶硅振膜层。贯穿硅衬底、SiO2刻蚀停止层和下多晶硅圆环电极开设有背腔,贯穿SiO2支撑层开设有阻尼腔,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形。上多晶硅振膜层架设在阻尼腔上;上多晶硅振膜层靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构。本实用新型在上多晶硅振膜层与硅衬底之间设置阻尼腔,振膜振动时,空腔会对振膜产生阻尼作用,根据对不同声音频率所产生的不同阻尼作用,实现麦克风的频率选择功能。
搜索关键词: 多晶硅 振膜层 阻尼腔 频率选择功能 本实用新型 电容式 硅衬底 刻蚀停止层 圆环电极 阻尼作用 麦克风 支撑层 背腔 阶梯状圆筒 边沿位置 弹性结构 声音频率 振膜振动 圆环形 贯穿 空腔 拾音 振膜 连通 架设
【主权项】:
1.一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风,其特征在于:由下向上依次包括硅衬底(1)、SiO2刻蚀停止层(2)、下多晶硅圆环电极(3)、SiO2支撑层(4)、上多晶硅振膜层(5);贯穿硅衬底(1)、SiO2刻蚀停止层(2)和下多晶硅圆环电极(3)开设有圆筒形的背腔(6);贯穿SiO2支撑层(4)开设有圆筒形的阻尼腔(7);圆筒形的背腔(6)和阻尼腔(7)同轴设置,背腔(6)的圆形横截面直径小于阻尼腔(7)的圆形横截面直径,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形;圆形的上多晶硅振膜层(5)架设在阻尼腔(7)上;上多晶硅振膜层(5)靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构,弹性结构的圆周外沿与阻尼腔(7)内壁对应;所述的弹性结构由圆周排列的多组通槽(8)组成,增加弹性结构环形内部分的上多晶硅振膜弹性。
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