[实用新型]单孔可控场发射装置有效
| 申请号： | 201820769368.8 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN208157356U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 吴大军;陶石;张磊;高晓蕊 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种真空微电子器件技术领域的单孔可控场发射装置，包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接并覆盖有纵向异质结构薄膜；所述阴极阵列中各阴极与MOS开关管的源极端相连，MOS开关管的漏极接地，MOS开关管的栅极与与门的输出相连接，与门的输入分别表示行选通和列选通，从而控制硅微通道板各孔内发射材料的接地或悬空。本实用新型采用具有多孔通透结构的硅微通道板作为模板，不但对硅微通道板各孔内发射材料接地和悬空的状态进行独立控制，而且能够及时将产生的焦耳热散逸，提高场发射的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅微通道 阴极阵列 接地 镍层 阴极 场发射装置 阳极 发射材料 异质结构 单孔 可控 与门 薄膜 悬空 真空微电子器件 本实用新型 独立控制 竖向设置 通透结构 相对设置 场发射 焦耳热 输出相 行选通 源极端 覆盖 漏极 选通 | ||
【主权项】：
1.一种单孔可控场发射装置，其特征在于，包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接并覆盖有纵向异质结构薄膜；所述阴极阵列中各阴极一一对应设有MOS开关管并与MOS开关管的源极端相连，MOS开关管的漏极接地，MOS开关管的栅极与与门的输出相连接，与门的输入分别表示行选通和列选通，从而控制硅微通道板各孔内发射材料的接地或悬空。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常熟理工学院，未经常熟理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820769368.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高压跌落式熔断器以及近端保护装置
- 下一篇：离子迁移管
