[实用新型]一种具有能量采集功能的声学传感器有效

专利信息
申请号: 201820771652.9 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN208258073U 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 吴丽翔;王俊力;王高峰 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H04R19/01 分类号: H04R19/01
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱月芬
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种具有能量采集功能的声学传感器。现有传统的电容式声学传感器对外界低频信号几乎不响应,导致声学信号的部分能量被忽略。本实用新型由下向上依次包括硅衬底、SiO2刻蚀停止层、多晶硅线圈、SiO2振膜支撑层、多晶硅振膜层、SiO2背电极支撑层、SiNx绝缘层、多晶硅背板层、Al2O3钝化层。方形螺旋线条状的多晶硅线圈位于SiO2刻蚀停止层与SiO2振膜支撑层之间,嵌在SiO2振膜支撑层内。多晶硅振膜层架设在背腔上,将背腔和振动腔分隔,圆环形磁性线圈黏附在多晶硅振膜层下表面。本实用新型对低频信号极其敏感,既能满足声学传感器的性能,又可以实现能量采集。
搜索关键词: 多晶硅 声学传感器 支撑层 本实用新型 能量采集 振膜层 振膜 刻蚀停止层 低频信号 背腔 绝缘层 螺旋线条状 磁性线圈 声学信号 背板层 背电极 传统的 电容式 钝化层 硅衬底 下表面 圆环形 振动腔 黏附 分隔 架设 敏感 响应
【主权项】:
1.一种具有能量采集功能的声学传感器,其特征在于:由下向上依次包括硅衬底(1)、SiO2刻蚀停止层(2)、多晶硅线圈(3)、SiO2振膜支撑层(4)、多晶硅振膜层(5)、SiO2背电极支撑层(6)、SiNx绝缘层(7)、多晶硅背板层(8)、Al2O3钝化层(9);方形螺旋线条状的多晶硅线圈(3)位于SiO2刻蚀停止层(2)与SiO2振膜支撑层(4)之间,并嵌在SiO2振膜支撑层(4)内;贯穿硅衬底(1)、SiO2刻蚀停止层(2)和SiO2振膜支撑层(4)开设有圆筒形的背腔(10),贯穿SiO2背电极支撑层(6)开设有圆筒形的振动腔(11);圆形的多晶硅振膜层(5)架设在背腔(10)上,将背腔(10)和振动腔(11)分隔,圆环形磁性线圈(12)通过圆环形SiO2支架(13)黏附在多晶硅振膜层(5)的下表面;SiNx绝缘层(7)、多晶硅背板层(8)和Al2O3钝化层(9)构成复合型背板,复合型背板架设在振动腔(11)上;贯穿复合型背板设有通孔(14),多个通孔(14)成矩阵排列;复合型背板下表面设置有防粘着点(15),多个防粘着点(15)成矩阵排列;通孔(14)与防粘着点(15)交错布置;两个线圈电极(16)和(17)分别依次穿过Al2O3钝化层(9)、SiO2背电极支撑层(6)、SiO2振膜支撑层(4)设置,一端与多晶硅线圈(3)相接,另一端伸出Al2O3钝化层(9);一个振膜电极(18)依次穿过Al2O3钝化层(9)、SiO2背电极支撑层(6)设置,一端与多晶硅振膜层(5)相接,另一端伸出Al2O3钝化层(9);一个背电极(19)穿过Al2O3钝化层(9)设置,一端与多晶硅背板层(8)相接,另一端伸出Al2O3钝化层(9);所述的线圈电极、振膜电极、背电极为圆柱形电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820771652.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top