[实用新型]能提高耐压能力的半导体器件终端结构有效
| 申请号： | 201820797706.9 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN208336233U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;周祥瑞;殷允超 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及能提高耐压能力的半导体器件终端结构，包括终端保护区，终端保护区环绕在元胞区的周围终端保护区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区，第二导电类型场限环区内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大，形成浓度渐变梯度；本实用新型器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 终端保护区 耐压能力 元胞区 半导体基板 半导体器件 本实用新型 导电类型 终端结构 场限环 衬底 环绕 导电类型离子 漂移 半导体工艺 导通电阻 渐变梯度 降低器件 器件制造 逐渐增大 漂移区 终端区 减小 源区 兼容 指向 终端 | ||
【主权项】：
1.能提高耐压能力的半导体器件终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区（5），所述第二导电类型场限环区（5）内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大，形成浓度渐变梯度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏捷捷微电子股份有限公司，未经江苏捷捷微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820797706.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
