[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201820808788.2 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN208570587U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程景伟;翁春强;王玉忠 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体装置，其包括：第一表面；与第一表面相对的第二表面；及一或多个导电迹线，该导电迹线具有邻近于第一表面的第一端口和邻近于第二表面的第二端口，该导电迹线从第一端口沿平行于第一表面的方向延伸，且通过第一导电通孔后沿平行于第二表面的方向延伸至第二端口，该第一导电通孔从第一表面贯穿半导体装置延伸至第二表面。 | ||
| 搜索关键词： | 第一表面 第二表面 半导体装置 导电迹线 导电通孔 方向延伸 平行 邻近 本实用新型 后沿 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：第一表面；与所述第一表面相对的第二表面；及一或多个导电迹线，所述导电迹线具有邻近于所述第一表面的第一端口和邻近于所述第二表面的第二端口，所述导电迹线从所述第一端口沿平行于所述第一表面的方向延伸，且通过第一导电通孔后沿平行于所述第二表面的方向延伸至所述第二端口，所述第一导电通孔从所述第一表面贯穿所述半导体装置延伸至所述第二表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820808788.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种陶瓷电容芯片
- 下一篇：一种半导体晶圆封装结构
