[实用新型]一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构

摘要

本实用新型公开了一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构，包括衬底，衬底背面设有背面金属层，正面生长有外延层，外延层的主表面部分设有场氧化层，外延层的主表面还扩散有阱区，且阱区内设有两个源区，阱区和源区为所述外延层主表面的一部分，且阱区环绕场氧化层，两个源区之间的阱区主表面设有栅氧化层，且栅氧化层的厚度小于场氧化层的厚度，场氧化层和栅氧化层表面设有多晶硅栅，多晶硅栅表面以及源区表面积淀有钝化层，钝化层以及源区外侧的阱区的主表面设有正面金属层。本实用新型能够有效降低栅极和漏极间电容，从而有效降低开关切换损耗，同时也大幅提高了开关速度。

主权项

1.一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底背面设有背面金属层，正面生长有外延层，所述外延层的主表面部分设有场氧化层，所述外延层的主表面还扩散有阱区，且阱区内设有两个源区，所述阱区和源区为所述外延层主表面的一部分，且阱区环绕所述场氧化层，所述两个源区之间的阱区主表面设有栅氧化层，且栅氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，所述场氧化层和栅氧化层表面设有多晶硅栅，所述多晶硅栅表面以及所述源区表面积淀有钝化层，所述钝化层以及所述源区外侧的所述阱区的主表面设有正面金属层。