[实用新型]集成电路电容器及半导体器件有效
| 申请号： | 201820849679.5 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN208284473U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种集成电路电容器及半导体器件，所述集成电路电容器包括第一电极板，位于第一电极板上的电容介电层以及位于电容介电层上的第二电极板，电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促使第一介电层的结晶态呈四方晶态结构，以此获取较高K值的结晶态第一介电层，提升电容器的电容值，优化电容介电层电容特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容介电层 介电层 集成电路电容器 电极板 结晶态 半导体器件 电容器 本实用新型 掺杂元素 电容特性 晶态结构 电容 多层 掺杂 优化 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路电容器，其特征在于，包括：第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板，其中，所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且所述第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构。
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