[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 201820850034.3 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN208622738U | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 郁操 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/0264;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 邢惠童 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能电池,属于太阳能电池领域。该太阳能电池包括:晶硅衬底;依次设置在所述晶硅衬底的至少一面上的本征薄膜层、掺杂硅基薄膜层、透明导电层和电极;所述掺杂硅基薄膜层的面积小于所述本征薄膜层的面积。本实用新型实施例提供的太阳能电池,通过设置掺杂硅基薄膜层的面积小于本征薄膜层的面积,使得部分入射光可透过透明导电层和本征薄膜层直接进入晶硅衬底,而不经过掺杂硅基薄膜层,减少了掺杂硅基薄膜层对入射光中短波光的吸收损耗,从而促进电池效率的提高。 | ||
搜索关键词: | 基薄膜层 掺杂硅 本征薄膜层 太阳能电池 衬底 晶硅 本实用新型 透明导电层 入射光 太阳能电池领域 电池效率 吸收损耗 依次设置 可透过 电极 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:晶硅衬底(1);依次设置在所述晶硅衬底(1)的至少一面上的本征薄膜层(2)、掺杂硅基薄膜层(3)、透明导电层(4)和电极(5);所述掺杂硅基薄膜层(3)的面积小于所述本征薄膜层(2)的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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