[实用新型]掩模版有效

专利信息
申请号: 201820918844.8 申请日: 2018-06-13
公开(公告)号: CN208188580U 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;G03F1/76
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;李够生
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及一种掩模版,包括光刻掩模图案,具有关键图案,关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区;光刻掩模图案划分为多个区块,关键图案所在的区块对应的光刻掩模图案的边界作为主要边界;光刻掩模图案除主要边界之外的边界作为次要边界;辅助图案,包括第一优先子图案,第一优先子图案设置在邻近主要边界的区域中,第一优先子图案用于优化关键图案和主要边界在光刻过程中的工艺窗口。本实用新型能够保证在所有关键图案的周围均设置有辅助图案,提高了关键图案的工艺窗口,关键图案能够准确完整的转印到光刻胶上。
搜索关键词: 关键图案 光刻掩模 子图案 图案 辅助图案 工艺窗口 区块 本实用新型 光刻过程 光刻胶 接触区 掩模版 光刻 晶圆 掩模 转印 邻近 优化 保证
【主权项】:
1.一种掩模版,其特征在于,包括:光刻掩模图案,具有关键图案,所述关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区;所述光刻掩模图案划分为多个区块,所述关键图案所在的所述区块对应的所述光刻掩模图案的边界作为主要边界;所述光刻掩模图案除所述主要边界之外的边界作为次要边界;以及辅助图案,包括第一优先子图案,所述第一优先子图案设置在邻近所述主要边界的区域中,所述第一优先子图案用于优化所述关键图案和所述主要边界在光刻过程中的工艺窗口。
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