[实用新型]掩模版有效
申请号: | 201820918844.8 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN208188580U | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/76 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;李够生 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种掩模版,包括光刻掩模图案,具有关键图案,关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区;光刻掩模图案划分为多个区块,关键图案所在的区块对应的光刻掩模图案的边界作为主要边界;光刻掩模图案除主要边界之外的边界作为次要边界;辅助图案,包括第一优先子图案,第一优先子图案设置在邻近主要边界的区域中,第一优先子图案用于优化关键图案和主要边界在光刻过程中的工艺窗口。本实用新型能够保证在所有关键图案的周围均设置有辅助图案,提高了关键图案的工艺窗口,关键图案能够准确完整的转印到光刻胶上。 | ||
搜索关键词: | 关键图案 光刻掩模 子图案 图案 辅助图案 工艺窗口 区块 本实用新型 光刻过程 光刻胶 接触区 掩模版 光刻 晶圆 掩模 转印 邻近 优化 保证 | ||
【主权项】:
1.一种掩模版,其特征在于,包括:光刻掩模图案,具有关键图案,所述关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区;所述光刻掩模图案划分为多个区块,所述关键图案所在的所述区块对应的所述光刻掩模图案的边界作为主要边界;所述光刻掩模图案除所述主要边界之外的边界作为次要边界;以及辅助图案,包括第一优先子图案,所述第一优先子图案设置在邻近所述主要边界的区域中,所述第一优先子图案用于优化所述关键图案和所述主要边界在光刻过程中的工艺窗口。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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