[实用新型]一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构有效
申请号: | 201820926754.3 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN208724321U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 黄宗义;蒋华梁;辛似波;王曙;冯金宝 | 申请(专利权)人: | 常州第二电子仪器有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 李猛 |
地址: | 213015*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构,包括:在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片上涂覆有氧化铟锡薄膜层,氧化铟锡薄膜层的厚度为160‑170nm。通过上述方式,本实用新型能够抵御外来的电磁干扰,能够抗50000V电磁脉冲,从而符合GJB1389A‑2005系统电磁兼容性要求。 | ||
搜索关键词: | 氧化铟锡薄膜 本实用新型 抗电磁辐射 光学薄膜 屏蔽结构 电磁干扰 电磁脉冲 光学窗口 系统电磁 兼容性 侵入的 镜片 涂覆 | ||
【主权项】:
1.一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构,其特征在于,包括:在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片上涂覆有氧化铟锡薄膜层,氧化铟锡薄膜层的厚度为160‑170nm。
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