[实用新型]一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置有效
| 申请号： | 201820931453.X | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208293118U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 廖弘基;张洁;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，包括石墨坩埚，所述石墨坩埚的上端设置有坩埚环，坩埚环与石墨坩埚紧密旋接固定；所述石墨盖的下端中央设置有籽晶片，籽晶片的下端设置有生长结晶的碳化硅单晶，籽晶片与石墨盖的下端粘合固定。本可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置在使用时，坩埚环的厚度与石墨坩埚的厚度相同，坩埚环与石墨坩埚紧密旋接固定，使得坩埚环与石墨坩埚紧密结合在一起，坩埚环的高度为20‑50mm，坩埚环其相接处远离低温区，不会附着碳化硅结晶物沉积在其表面，坩埚环的两侧均开设有分离槽，因此石墨盖能够轻易与石墨坩埚分离而取出碳化硅晶体；整体可多次重复使用石墨坩埚，延长石墨坩埚使用寿命，节省整体成本。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 石墨坩埚 单晶生长装置 可重复 石墨盖 籽晶片 下端 旋接 本实用新型 碳化硅单晶 碳化硅结晶 碳化硅晶体 多次重复 使用寿命 粘合固定 整体成本 中央设置 低温区 分离槽 相接处 上端 附着 沉积 取出 生长 | ||
【主权项】：
1.一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)，其特征在于：所述石墨坩埚(1)的上端设置有坩埚环(2)，坩埚环(2)与石墨坩埚(1)紧密旋接固定；所述石墨坩埚(1)的顶端设置有石墨盖(3)，石墨盖(3)与坩埚环(2)连接；所述石墨盖(3)的下端中央设置有籽晶片(4)，籽晶片(4)的下端设置有生长结晶的碳化硅单晶(5)，籽晶片(4)与石墨盖(3)的下端粘合固定；所述石墨坩埚(1)的外侧包裹有外侧石墨软毡保温层(6)，石墨坩埚(1)的底部包裹有底部石墨软毡保温层(7)，石墨坩埚(1)的上部包裹有上部石墨软毡保温层(8)；所述上部石墨软毡保温层(8)的中央开设有测温孔(9)；所述石墨坩埚(1)的最外层设置有感应线圈(10)，感应线圈(10)分布在石墨坩埚(1)的外侧周围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建北电新材料科技有限公司，未经福建北电新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820931453.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单晶炉中的坩埚保温结构
- 下一篇：一种单晶铜键合线退火后的快速冷却装置
