[实用新型]一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构有效

专利信息
申请号: 201820932767.1 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN208501093U 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 左浩;李升;刘宏明 申请(专利权)人: 西安碳星半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C28/00
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 刘晓晖
地址: 710000 陕西省西安市国家民用航天产*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构,其结构包括,金属基座、第一金刚石层、第一硬质合金层、第二硬质合金层、过渡层和第二金刚石层,所述第一金刚石层沉积于金属基座上,所述第一硬质合金层沉积于第一金刚石层上,所述第二硬质合金层沉积于第一硬质合金层上,所述过渡层沉积于第二硬质合金层上,所述第二金刚石层沉积于过渡层上,该结构的同侧双层金刚石层利于均衡金刚石薄膜的内应力,在第二硬质合金层上沉积有一层过渡层,使该结构更加紧密,附着力强,金刚石层不易脱落且分别在第一金刚石层上沉积有第一硬质合金层和第二硬质合金层,使该结构具有内应力更加均衡且硬度高、光洁度高和耐腐蚀等优点。
搜索关键词: 硬质合金层 金刚石层 沉积 过渡层 金刚石薄膜 均衡 金属基座 膜结构 光洁度 本实用新型 附着力强 耐腐蚀 同侧
【主权项】:
1.一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构,其结构包括金属基座(1)、第一金刚石层(2)、第一硬质合金层(3)、第二硬质合金层(4)、过渡层(5)和第二金刚石层(6),其特征在于:所述第一金刚石层(2)沉积于金属基座(1)上,所述第一硬质合金层(3)沉积于第一金刚石层(2)上,所述第二硬质合金层(4)沉积于第一硬质合金层(3)上,所述过渡层(5)沉积于第二硬质合金层(4)上,所述第二金刚石层(6)沉积于过渡层(5)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安碳星半导体科技有限公司,未经西安碳星半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820932767.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top