[实用新型]二维磁场传感器有效
| 申请号： | 201820970548.2 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN208569011U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 钱正洪;白茹;康洁;胡亮 | 申请（专利权）人： | 钱正洪;白茹 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 浙江省杭州市下沙高*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种二维磁场传感器。本实用新型中磁通引导器设置在衬底上，磁通引导器外部框架为环形或半环形结构，根据对称轴将磁通引导器分为两个或四个区域；每个区域均开有磁敏电阻放置间隙。每个区域设置有一对磁敏电阻，磁敏电阻均设置在衬底上，一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖，另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内。对角两个区域的两对磁敏电阻分别连成两组惠斯通电桥结构。本实用新型为单芯集成，可集成度高。利用磁通引导器间隙中的磁敏电阻以及被磁通引导器覆盖的磁敏电阻构成两组惠斯通电桥结构形成差分输出，相对比以往的二维磁场传感器具有更高的精度、抗干扰能力强、更易于小型化、集成化，同时双电桥可有效的抑制温漂。 | ||
| 搜索关键词： | 磁敏电阻 磁通引导 二维磁场传感器 本实用新型 惠斯通电桥结构 衬底 两组 半环形结构 抗干扰能力 区域设置 外部框架 集成度 对角 对称轴 集成化 双电桥 单芯 覆盖 温漂 输出 | ||
【主权项】：
1.二维磁场传感器，包括磁通引导器；其特征在于：所述的磁通引导器设置在衬底上，磁通引导器外部框架为方环形或圆环形结构，两条对角线或两条垂直的对称轴将磁通引导器分为四个区域；每个区域均开有磁敏电阻放置间隙；每个区域设置有一对磁敏电阻，磁敏电阻均设置在衬底上，一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖，另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内；对角两个区域的两对磁敏电阻分别连成两组惠斯通电桥结构。
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