[实用新型]三维存储器有效
| 申请号： | 201820973640.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN208589445U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11573;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种三维存储器，包括核心区和字线连接区，所述字线连接区包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的导电层和介质层，所述堆叠层中具有多个接触部，所述多个接触部的每个接触部分别与各自预定深度的导电层接触，其中每个接触部贯穿对应的导电层之上的一个或多个导电层和/或介质层，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的导电层之间具有绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 堆叠层 三维存储器 介质层 连接区 衬底 字线 绝缘层 本实用新型 导电层接触 交替堆叠 核心区 贯穿 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的导电层和介质层，所述堆叠层中具有多个接触部，所述多个接触部的每个接触部分别与各自预定深度的导电层接触，其中每个接触部贯穿对应的导电层之上的一个或多个导电层和/或介质层，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的导电层之间具有绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
