[实用新型]半导体单晶炉大尺寸温场有效
| 申请号： | 201820981578.3 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208869724U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 赖章田;贺贤汉;夏孝平;黄保强;河野贵之 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供半导体单晶炉大尺寸温场，包括一炉腔室，炉腔室内设有一坩埚，坩埚的外壁设有一侧加热器，坩埚的下方还设有下加热器，炉腔室还包括侧隔热层，侧隔热层分别为外部侧隔热层、内部侧隔热层、上部侧隔热层和下部侧隔热层，下部侧隔热层与外部侧隔热层连接，上部侧隔热层与内部侧隔热层连接；坩埚上方设有热屏升降机构，热屏升降机构包括外热屏、内热屏、热屏保护层、升降环和上隔热层，坩埚下方设有石墨轴和芯棒，石墨轴上设有外锥口，芯棒上设有内锥口，石墨轴与芯棒插接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 隔热层 坩埚 石墨轴 炉腔 热屏 芯棒 半导体单晶 升降机构 温场 本实用新型 加热器 插接连接 上隔热层 下加热器 保护层 内热屏 内锥口 升降环 外热屏 外部 外壁 外锥 室内 | ||
【主权项】：
1.半导体单晶炉大尺寸温场，其特征在于：包括一炉腔室，所述炉腔室内设有一坩埚，所述坩埚的外壁设有一侧加热器，所述坩埚的下方还设有下加热器，所述炉腔室还包括侧隔热层，所述侧隔热层分别为外部侧隔热层、内部侧隔热层、上部侧隔热层和下部侧隔热层，所述下部侧隔热层与所述外部侧隔热层连接，所述上部侧隔热层与所述内部侧隔热层连接；所述坩埚上方设有热屏升降机构，所述热屏升降机构包括外热屏、内热屏、热屏保护层、升降环和上隔热层，所述坩埚下方设有石墨轴和芯棒，所述石墨轴上设有外锥口，所述芯棒上设有内锥口，所述石墨轴与所述芯棒插接连接。
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