[实用新型]一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201820981861.6 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208352325U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构。传统InGaN材料蓝光LED的激光剥离是采用波长248nm准分子激光穿过蓝宝石衬底,分解GaN材料,但对UVC LED而言,因为底层材料AlN禁带宽度为6.2eV,无法吸收波长248nm的准分子激光。本实用新型公开了一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，包括在蓝宝石衬底上依次生长的缓冲层、不掺杂层、N型极性层、有源层、P型电子阻挡层、P型极性层；其中：在所述不掺杂层与N型极性层之间生长有激光剥离层。本实用新型的优点在于：采用生长激光剥离层的方式，来实现可使用现行的248nm准分子激光器进行蓝宝石衬底与深紫外外延结构的剥离，且剥离完可直接在外延结构的剥离表面制作N型电极,方便后续芯片制程。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 深紫外发光二极管 本实用新型 蓝宝石 垂直结构 激光剥离 高效率 极性层 衬底 准分子激光 不掺杂层 生长 剥离 准分子激光器 剥离表面 底层材料 吸收波长 蓝光LED 缓冲层 波长 禁带 源层 制程 穿过 芯片 分解 制作 | ||
【主权项】：
1.一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，包括在蓝宝石衬底（1）上依次生长的缓冲层（2）、不掺杂层（3）、N型极性层（5）、有源层（6）、P型电子阻挡层（7）、P型极性层（8）；其特征在于：在所述不掺杂层（3）与N型极性层（5）之间生长有激光剥离层（4），且所述激光剥离层（4）的带隙宽度小于缓冲层（2）和不掺杂层（3）的带隙宽度。
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