[实用新型]一种采用埋入式位线的晶体管结构

摘要

本实用新型提供一种采用埋入式位线的晶体管结构，该晶体管结构包括衬底、隔离结构、漏极沉入凹槽、第一字线沟槽、第二字线沟槽、埋入式字线、位线沟槽及埋入式位线。本实用新型通过漏极沉入凹槽改变晶体管的结构，使得晶体管具有埋入式的位线，晶体管中形成的漏极沉入凹槽增加了源极及漏极的节点接触的面积，并有利于字线的蚀刻，减少沟道漏电。本实用新型的采用埋入式位线的晶体管结构可以应用在不同形状的有源区，并可以应用在不同的电学电路。

主权项

1.一种采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于，包括：衬底；隔离结构，形成于所述衬底中，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；漏极沉入凹槽，形成于所述有源区中，所述漏极沉入凹槽交迭于所述有源区中段，且由所述衬底的顶面，所述漏极沉入凹槽的底面相对较浅于所述隔离结构的底面；第一字线沟槽与第二字线沟槽，皆形成于所述衬底中，由所述衬底的顶面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽的底面皆相对较浅于所述隔离结构的底面并相对较深于所述漏极沉入凹槽底面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽皆穿过所述有源区，藉由所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽间隔，所述有源区包含第一源极区域、漏极区域与第二源极区域，所述漏极区域位于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间；埋入式字线，形成于所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中；位线沟槽，形成于所述衬底中，所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽，且所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽的部分暴露出所述漏极区域顶面；及埋入式位线，形成于所述位线沟槽中，所述埋入式位线的金属顶面低于所述衬底的顶面，所述衬底的顶面包含所述第一源极区域的上表面与所述第二源极区域的上表面，且所述衬底的顶面在同一有源区中且所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的区域是绝缘掩埋。