[实用新型]一种具有低温成长空穴注入层的发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201820983045.9 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209000947U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有低温成长空穴注入层的发光二极管外延结构。一种氮化镓基发光二极管外延结构,包括有：衬底、缓冲层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层、p型低温空穴注入层、空穴扩散层、p型氮化镓层，此外延结构特征在于：电子阻挡层没有掺杂镁、p型空穴注入层使用低温成长与p型空穴注入层和p型氮化镓层之中设有非掺杂空穴扩散层，此外延结构设计可有效降低镁扩散进入有源层造成发光效率下降问题的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴注入层 发光二极管外延结构 空穴 电子阻挡层 扩散层 源层 氮化镓基发光二极管 本实用新型 发光效率 外延结构 下降问题 非掺杂 缓冲层 衬底 掺杂 扩散 概率 | ||
【主权项】：
1.一种具有低温成长空穴注入层的发光二极管外延结构，包括衬底(10)、缓冲层(20)、n型氮化镓层(30)、有源层(40)、电子阻挡层(50)、p型低温空穴注入层(60)、空穴扩散层(70)、p型氮化镓层(80)；其特征在于：衬底(10)，由蓝宝石材料所制成；缓冲层(20)，其位于所述衬底(10)上，由氮化镓基材料所构成；n型氮化镓层(30)，其位于所述缓冲层(20)上，由氮化镓基材料所构成；有源层(40)，其位于所述n型氮化镓层(30)上，由氮化镓基材料所构成；电子阻挡层(50)，其位于所述有源层(40)上，由非掺杂含铝氮化镓基材料所构成；p型低温空穴注入层(60),其位于所述电子阻挡层(50)上，由氮化镓基材料所构成；空穴扩散层(70)，其位于所述p型低温空穴注入层(60)上，由非掺杂含铝氮化镓基材料所构成；p型氮化镓层(80)，其位于所述空穴扩散层(70)上，由氮化镓基材料所构成。
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