[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚，所述石墨坩埚的上端设置有石墨盖，石墨盖与石墨坩埚的上端接触连接；所述上部石墨软毡保温层的上端设置有承重圆环，承重圆环的外侧设置有卡块，卡块与外侧石墨软毡保温层的上端卡接固定。本碳化硅单晶生长装置在使用时，将承重圆环覆盖于上部石墨软毡保温层的上方，卡块与外侧石墨软毡保温层的上端卡接固定，让下部的石墨软毡均匀负重，不会再因压力与气流变化让覆盖于石墨坩埚上部的上部石墨软毡保温层发生扭曲变形，甚至跳脱离原本的位置；整体不会再因压力与气流变化让覆盖于石墨坩埚上部的石墨软毡发生扭曲变形，甚至跳脱离原本的位置，碳化硅单晶生长速率均匀，晶体质量高。

主权项

1.一种碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)，其特征在于：所述石墨坩埚(1)的上端设置有石墨盖(2)，石墨盖(2)与石墨坩埚(1)的上端接触连接；所述石墨盖(2)的下端中央设置有籽晶片(3)，籽晶片(3)与石墨盖(2)的下端粘合固定；所述石墨坩埚(1)的外侧包裹有外侧石墨软毡保温层(4)，石墨坩埚(1)的底部包裹有底部石墨软毡保温层(5)，石墨坩埚(1)的上部包裹有上部石墨软毡保温层(6)；所述上部石墨软毡保温层(6)的中央开设有测温孔(7)；所述上部石墨软毡保温层(6)的上端设置有承重圆环(8)，承重圆环(8)的外侧设置有卡块(9)，卡块(9)与外侧石墨软毡保温层(4)的上端卡接固定；所述石墨坩埚(1)的最外层设置有感应线圈(10)，感应线圈(10)分布在石墨坩埚(1)的外侧周围。