[实用新型]一种高指向性的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201821012343.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208637452U | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高指向性的发光二极管芯片，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层的发光二极管外延结构、衬底、n型电极、侧面高反射结构；其中：所述衬底与n型半导体层连接，所述n型半导体层与发光层连接，所述发光层与p型半导体层连接，所述n型半导体层上制备有n型电极。本实用新型的优点在于：在发光二极管芯片的侧面沉积高反射结构，该高反射结构为透明介电层和高反射金属层组合结构或者为高反射多层膜结构，通过发光二极管芯片侧面的高反射金属层或高反射多层膜来改变发光二极管中横向的平行于出光面的光线的出光方向，使绝大部分光线从出光面的法线方向射出从而改善发光二极管光的指向性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 高反射 高反射结构 发光层 指向性 本实用新型 发光二极管 金属层 侧面 衬底 发光二极管外延结构 多层膜结构 透明介电层 法线方向 组合结构 多层膜 射出 沉积 制备 平行 | ||
【主权项】：
1.一种高指向性的发光二极管芯片，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层的发光二极管外延结构、衬底、n型电极、侧面高反射结构；其特征在于：所述衬底与n型半导体层连接，所述n型半导体层与发光层连接，所述发光层与p型半导体层连接，所述n型半导体层上制备有n型电极，所述高反射结构形成于所述n型半导体层、发光层、p型半导体层、衬底的侧面。
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