[实用新型]一种双反射界面的图形化衬底有效
| 申请号： | 201821012365.6 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208352331U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其中：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。本实用新型的优点在于：本双反射界面的图形化衬底更能有效提高光的取出效率；利用第二结构介质层的非晶特性，可以有效的抑制图形化结构表面上氮化镓基外延层的侧面生长，降低侧面生长氮化镓基外延层与正面生长氮化镓基外延层合并时的晶格缺陷密度，提升氮化镓基外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 结构介质 衬底层 衬底 双反射 图形化 氮化镓基外延层 生长氮化镓基 外延层 本实用新型 图形化结构 侧面 弧形结构 晶格缺陷 生长 重合 非晶 穹顶 取出 合并 | ||
【主权项】：
1.一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其特征在于：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。
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