[实用新型]一种过流保护电路

摘要

本实用新型涉及过流保护电路领域，公开了一种过流保护电路。该过流保护电路包含：PWM产生模块、第一电阻Rg、高边驱动芯片及容性负载；PWM产生模块通过Rg连接高边驱动芯片的使能端；高边驱动芯片的输出端连接容性负载；其中，高边驱动芯片包括MOS管，MOS管的栅极连接该使能端，MOS管的漏极连接供电电源，MOS管的源极连接该输出端；PWM波的周期为Rg*(2*Ciss+Crss)，PWM波的高电平时间大于或等于Rg*Ciss，且小于或等于Rg*(Ciss+Crss)。本实用新型实施方式利用MOS管的导通特性进行电路设计，能够更简单、方便的减小容性负载所带来的冲击电流，达到过流保护的目的。

主权项

1.一种过流保护电路，其特征在于，包含：PWM产生模块、第一电阻、高边驱动芯片及容性负载；所述PWM产生模块通过所述第一电阻连接所述高边驱动芯片的使能端，并向所述使能端输出PWM波；所述高边驱动芯片的输出端连接所述容性负载；其中，所述高边驱动芯片包括MOS管，所述MOS管的栅极连接所述使能端，所述MOS管的漏极连接供电电源，所述MOS管的源极连接所述高边驱动芯片的输出端；所述PWM波的周期为Rg*(2*Ciss+Crss)，PWM波的高电平时间大于或等于Rg*Ciss，且小于或等于Rg*(Ciss+Crss)；所述Ciss为所述MOS管的输入电容，所述Crss为所述MOS管的米勒电容，所述Rg为所述第一电阻。