[实用新型]一种紫外LED垂直结构芯片有效
| 申请号： | 201821048062.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208608218U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王润;赵韦人 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32;H01L23/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种紫外LED垂直结构芯片，包括：第一衬底；位于第一衬底一表面的发光外延层，发光外延层包括：位于第一衬底表面的N型外延层，位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；位于发光外延层背离第一衬底一侧的反射层；位于第一衬底背离发光外延层一侧的N型电极结构，及位于反射层背离第一衬底一侧的P型电极结构。相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 发光外延层 背离 柱状 垂直结构芯片 紫外LED芯片 紫外LED 反射层 多量子阱有源层 本实用新型 电子阻挡层 衬底表面 出光效率 光线散射 散热效果 外界空气 全反射 相邻柱 垂直 贯通 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底一表面的发光外延层，所述发光外延层包括：位于所述第一衬底表面的N型外延层，位于所述N型外延层背离所述第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直所述N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；位于所述发光外延层背离所述第一衬底一侧的反射层；以及，位于所述第一衬底背离所述发光外延层一侧的N型电极结构，及位于所述反射层背离所述第一衬底一侧的P型电极结构。
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