[实用新型]包括成像像素的阵列的图像传感器有效

专利信息
申请号: 201821055483.5 申请日: 2018-07-04
公开(公告)号: CN208675385U 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: T·戈伊茨 申请(专利权)人: 半导体组件工业公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及具有每像素控制的成像传感器。图像传感器可包括像素电路以启用每像素积分时间和读出控制。两个晶体管可串联耦接以用于每像素控制,其中所述晶体管中的一个在逐行的基础上被控制,而所述另一个晶体管在逐列的基础上被控制。所述串联的两个晶体管可直接相互耦接而没有任何中间结构。串联在光电二极管和电源端子之间的两个晶体管启用开始积分时间的每像素控制,串联在光电二极管和电荷存储区之间的两个晶体管启用结束积分时间的每像素控制,并且串联在电荷存储区和浮动扩散区之间的两个晶体管启用读出的每像素控制。
搜索关键词: 像素控制 晶体管 晶体管启用 串联 电荷存储区 光电二极管 图像传感器 本实用新型 成像传感器 浮动扩散区 成像像素 串联耦接 电源端子 读出控制 像素电路 中间结构 像素 逐行 耦接 读出
【主权项】:
1.一种包括成像像素的阵列的图像传感器,其特征在于,每个成像像素包括:光电二极管;浮动扩散区;电荷存储区,所述电荷存储区插置在所述光电二极管和所述浮动扩散区之间;插置在所述光电二极管和所述电荷存储区之间的第一晶体管和第二晶体管;和插置在所述电荷存储区和所述浮动扩散区之间的第三晶体管和第四晶体管。
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