[实用新型]一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构有效
| 申请号： | 201821088019.6 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN208738288U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宁如光;林晓珊;徐培强;刘芬;吴春寿;杨琪;熊欢 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30 |
| 代理公司： | 南昌大牛专利代理事务所(普通合伙) 36135 | 代理人： | 喻莎 |
| 地址： | 330100 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，包括GaAs衬底，其中：所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、不对称谐振隧道、非掺AlInP限制层Ⅰ、MQW有源层、非掺AlInP限制层Ⅱ、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层。本实用新型通过在n‑AlGaInP波导层与非掺AlInP限制层Ⅰ之间插入一层不对称谐振隧道，与MQW有源层量子阱耦合后，形成一道势垒，该势垒能通过电子，阻挡空穴，增加进入MQW有源层的电子数目，提高MQW有源层内电子空穴复合几率，从而提高内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 限制层 源层 内量子效率 波导层 本实用新型 外延结构 谐振隧道 不对称 黄绿光 衬底 势垒 电子空穴复合 空穴 电流扩展层 耦合 反射层 缓冲层 量子阱 与非 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，包括GaAs衬底(100)，其特征在于：所述GaAs衬底(100)上依次设有缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n‑AlInP限制层(103)、n‑AlGaInP波导层(104)、不对称谐振隧道(105)、非掺AlInP限制层Ⅰ(106)、MQW有源层(107)、非掺AlInP限制层Ⅱ(108)、p‑AlGaInP波导层(109)、p‑AlInP限制层(110)和p‑GaP电流扩展层(111)，所述不对称谐振隧道(105)材料为(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P。
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