[实用新型]具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池有效
申请号: | 201821097182.9 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208538872U | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 李华;李中兰;鲁伟明;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/049;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 张弘 |
地址: | 225300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构,沿硅基底1厚度方向自上而下依次包括:沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成,第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列;所述的电池电极包括正电极和负电极,正电极与第二掺杂区域接触,负电极第一掺杂区域接触;该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池组件的工艺难度。 | ||
搜索关键词: | 掺杂区域 指状交叉 掺杂层 钝化 电池电极 接触结构 背接触 负电极 正电极 硅基 背面 背面钝化膜 本实用新型 背面钝化 电池结构 电池组件 工艺难度 减反射膜 漏电流 隧穿层 基底 电池 表现 | ||
【主权项】:
1.一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池,其特征在于,沿硅基底(1)厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜(2)、正面掺杂层(12)、n型硅基底(1)、背面钝化隧穿层(11)、背面掺杂层、背面钝化膜(5)和电池电极;所述背面掺杂层由第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(4)组成,第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(4)指状交叉排列;所述的电池电极包括正电极和负电极;所述第一掺杂区域(3)包括第一贯穿区域(301)和第一垂直区域(302),所述第二掺杂区域(4)包括第二贯穿区域(401)和第二垂直区域(402);第一贯穿区域(301)和第二贯穿区域(401)相互平行;所述第一垂直区域(302)和第一贯穿区域(301)相互垂直并连接;所述第二垂直区域(402)和第二贯穿区域(401)相互垂直并连接;在第一贯穿区域(301)方向上,第一垂直区域(302)和第二垂直区域(402)交错排列;所述正电极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9),所述负电极包括负极细栅线(6)和负极连接电极(8);负极细栅线(6)与第一掺杂区域(3)的第一垂直区域(302)形成接触;正极细栅线(7)与第二掺杂区域(4)的第二垂直区域(402)形成接触;负极连接电极(8)设置在第一贯穿区域(301)内;正极连接电极(9)设置在第二贯穿区域(401)内;正极细栅线(7)和正极连接电极(9)连接,并通过正极连接电极(9)导出电流,负电极包括负极细栅线(6)和负极连接电极(8)连接,并通过负极连接电极(8)导出电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821097182.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种p型背接触太阳电池
- 下一篇:一种p型背接触太阳电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的