[实用新型]一种ESD保护电路及电子装置有效
申请号: | 201821097942.6 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208352294U | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 何永强;程剑涛;郭辉;张艳萍 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种ESD保护电路及电子装置,在供电电源的供电端至接地端之间具有正向静电时,正向静电的电流经由第一正向低压二极管和高压二极管流向接地端;及在供电电源的供电端至接地端之间具有负向静电时,负向静电的电流经由高压二极管流和第二反向低压二极管流向供电端;由于双向导通模块的寄生电容小于高压二极管形成的寄生电容,及双向导通模块的寄生电容与高压二极管形成的寄生电容为串联关系,因此ESD保护电路总的寄生电容较小,以提高ESD保护电路的带宽;同时由于耐高压的高压二极管存在,使得ESD保护电路的耐高压性能优异。 | ||
搜索关键词: | 高压二极管 寄生电容 静电 供电端 接地端 正向 低压二极管 电子装置 供电电源 双向导通 负向 本实用新型 耐高压性能 耐高压 串联 带宽 | ||
【主权项】:
1.一种ESD保护电路,连接于供电电源与被保护电路之间,其特征在于,所述ESD保护电路包括:高压二极管和双向导通模块,所述双向导通模块包括第一正向低压二极管和第一反向低压二极管;所述第一正向低压二极管的阳极与所述第一反向低压二极管的阴极均连接至所述供电电源的供电端,所述第一正向低压二极管的阴极与所述第一反向低压二极管的阳极均连接至所述高压二极管的阴极,所述高压二极管的阳极连接至所述供电电源的接地端;其中,所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压,且所述双向导通模块的寄生电容小于所述高压二极管形成的寄生电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的