[实用新型]一种电子元件封装结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821102208.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN208507648U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 曹俊;江伟;何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 葛钟 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种电子元件封装结构及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，解决了现有技术封装保护层与芯片之间封装应力不匹配导致的芯片受损、失效的技术问题。该封装结构包括电子元件、保护层和应力缓冲层，应力缓冲层介于电子元件与保护层之间，且应力缓冲层能缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力。通过在电子元件与保护层之间设置应力缓冲层来缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力，减少电子元件的失效损坏，防止水汽入侵，隔绝离子污染，提高电子元件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 应力缓冲层 封装应力 电子元件封装结构 半导体器件 缓冲 半导体器件技术 施加 芯片 本实用新型 封装保护层 封装结构 离子污染 水汽 匹配 入侵 受损 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件封装结构，其特征在于，包括电子元件、保护层和应力缓冲层，所述应力缓冲层介于所述电子元件与所述保护层之间，且所述应力缓冲层能缓冲、减弱所述保护层对所述电子元件施加的封装应力。
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