[实用新型]碳化硅器件

摘要

本实用新型提供了碳化硅器件。示例性器件包括：n型衬底；设置在衬底上的n型第一外延层；设置在第一外延层上的n型第二外延层；设置在第二外延层内并且从第二外延层表面朝向衬底方向延伸的p型体区；p型接触区，接触区设置在体区内并且从体区表面朝向衬底方向延伸；p型汇区，汇区掩埋在第二外延层内，汇区和接触区的掺杂浓度均高于体区的掺杂浓度，汇区与接触区不相连，汇区设置在体区内或者与体区的边缘交叠；n型源区，源区设置在体区内并且从体区表面朝向衬底方向延伸，在体区内，接触区接触并且夹置在两个相邻的源区之间。根据本实用新型的器件制作工艺简单，实现了沟道自对准、减少了器件的单元间距，提升了碳化硅器件的性能和应用。

主权项

1.一种碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅器件包括：导电类型为n型的碳化硅衬底；设置在所述碳化硅衬底上的导电类型为n型的碳化硅第一外延层；设置在所述碳化硅第一外延层上的导电类型为n型的碳化硅第二外延层；设置在所述碳化硅第二外延层内并且从所述碳化硅第二外延层表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸的导电类型为p型的体区；导电类型为p型的接触区，所述接触区设置在所述体区内并且从所述体区表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸；导电类型为p型的汇区，所述汇区掩埋在所述碳化硅第二外延层内，所述汇区和所述接触区的掺杂浓度均高于所述体区的掺杂浓度，所述汇区与所述接触区不相连，所述汇区设置在所述体区内或者与所述体区的边缘交叠；导电类型为n型的源区，所述源区设置在所述体区内并且从所述体区表面朝向所述碳化硅衬底方向延伸，在所述体区内，所述接触区接触并且夹置在两个相邻的源区之间。