[实用新型]一种半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。本申请实施例中的半导体器件包括具有多个凸台的图形化衬底、设置在图形化衬底上的AlN缓冲层以及设置在AlN缓冲层上的氮化物合并层，凸台之间的间隙形成氮化物合并层和图形化衬底之间的相互连通的通孔。氮化物合并层与图形化衬底之间只通过凸台的顶面连接，两者之间的连接面积在各自的总面积中占比小，可以更容易的对这样的结构进行剥离，从而将图形化衬底与其他结构分离。该半导体器件结构简单，无论采用腐蚀液进行化学腐蚀剥离，还是采用切割剥离、振动剥离等物理剥离都可以达到很好的效果，剥离后不会对芯片造成损伤，且剥离效率更高，良品率也更高。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：图形化衬底，所述图形化衬底包括位于所述图形化衬底一侧的多个凸台，多个所述凸台相邻设置，所述凸台的顶面为平面，相邻的所述凸台之间具有间隙；AlN缓冲层，所述AlN缓冲层设置在所述图形化衬底设置所述凸台一侧，所述AlN缓冲层覆盖所述图形化衬底设置所述凸台一侧的表面；氮化物合并层，所述氮化物合并层设置在所述AlN缓冲层远离所述图形化衬底的一侧，所述氮化物合并层设置在所述凸台的顶面上；其中，所述凸台之间的间隙形成所述图形化衬底与所述氮化物合并层之间的相互连通的孔洞。