[实用新型]一种H桥级联多电平逆变器

摘要

本实用新型公开了一种H桥级联多电平逆变器，包括输入开关柜、移相隔离变压器、功率单元和控制系统，输入开关柜一侧设有电网输入侧，隔离变压器连接功率单元，且隔离变压器和功率单元均设置在输入开关柜中，输入开关柜通过光纤连接控制系统，输入开关柜连接高压电机，本实用新型结构原理简单，通过采用能量回馈技术，可采用普通多副边绕组变压器代替移相变压器，降低了变压器的设计难度和设计成本；通过功率单元采用PWM整流技术，可以控制基波功率因数达到1。

主权项

1.一种H桥级联多电平逆变器，包括输入开关柜（1）、移相隔离变压器（2）、功率单元（3）和控制系统（4），其特征在于：所述输入开关柜（1）一侧设有电网输入侧（5），所述移相隔离变压器（2）连接功率单元（3），且所述移相隔离变压器（2）和功率单元（3）均设置在输入开关柜（1）中，所述输入开关柜（1）通过光纤（6）连接控制系统（4），所述移相隔离变压器（2）连接高压电机（7）；所述功率单元（3）由整流电路、逆变电路及旁路电路三部分组成；所述功率单元（3）输入侧串接输入电抗器；所述整流电路包括并联连接的三组晶体管组和电解电容（8），分为第一晶体管组、第二晶体管组和第三晶体管组，所述第一晶体管组包括串联连接的场效应晶体管A(1a)和场效应晶体管B(2a)；所述第二晶体管组包括串联连接的场效应晶体管C(3a)和场效应晶体管D(4a)；所述第三晶体管组包括串联连接的场效应晶体管E(5a)和场效应晶体管F(6a)；所述第一晶体管组和第二晶体管组之间并联连接电容A(1b)；所述第二晶体管组和第三晶体管组之间并联连接电容B(2b)；所述逆变电路包括并联连接的第四晶体管组和第五晶体管组；所述第四晶体管组包括串联连接的场效应晶体管G(7a)和场效应晶体管H(8a)；所述第五晶体管组包括串联连接的场效应晶体管I(9a)和场效应晶体管J(10a)；所述第四晶体管组和第五晶体管组之间并联连接电容D(4b)，所述第五晶体管组两端并联连接电容E(5b)；所述旁路电路包括串联连接的二极管A(1c)、二极管B(2c)以及串联连接的二极管C(3c)和二极管D(4c)，两组串联电路并联连接，并联电路两端连接场效应晶体管K(11a)。