[实用新型]一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构有效
| 申请号： | 201821151831.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN208478342U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李昱材;张东;赵琰;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/43 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 吕敏 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域。从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。本发明采用采用VO2/p‑SnO2结构，既利用了N型VO2温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变的特性，又利用了p‑SnO2结构可靠性，大功率、长寿命，低功率消耗以及价格低的特点，其两者结合的器件在大功率光电开关，大功率廉价的光存储器件等方面有着广阔的应用，解决了器件功率低价格昂贵的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 聚对苯二甲酸乙二酯 异质结构 材料层 可逆 衬底 半导体 抗腐蚀保护层 金属 第二导电层 第一导电层 光存储器件 结构可靠性 光电开关 器件功率 温度驱动 长寿命 衬底层 低功率 消耗 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，其特征在于：从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。
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