[实用新型]绝缘栅双极晶体管设备有效
| 申请号： | 201821166984.0 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN208521939U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李孟家;拉尔夫·N·沃尔;刘明焦;沙姆斯·阿列芬·卡恩;戈登·M·格里芙尼亚 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王美石;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)设备。所述IGBT设备可包括有源区，无源区，以及沿着所述有源区中的纵向轴线延伸的沟槽。所述IGBT还可包括第一台面和第二台面，所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行，所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行。所述第一台面的至少一部分可包括所述IGBT设备的有源区段，并且所述第二台面的至少一部分可包括所述IGBT设备的无源区段。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 绝缘栅双极晶体管 源区 平行 纵向轴线延伸 本实用新型 第二侧壁 第一侧壁 无源区 无源 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管IGBT设备，包括：有源区；无源区；沟槽，所述沟槽沿着所述有源区中的纵向轴线延伸；第一台面，所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行；和第二台面，所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行，其中，所述第一台面的至少一部分包括所述IGBT设备的有源区段，以及所述第二台面的至少一部分包括所述IGBT设备的无源区段。
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