[实用新型]一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器有效
| 申请号： | 201821174791.X | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN208444861U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 马国坤;何玉立;王浩;周潇文;蔡恒梅 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，涉及功能器件技术领域。本实用新型的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本实用新型的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本实用新型制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外，本实用新型的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 本实用新型 元素掺杂 钙钛矿 介质层 卤化物钙钛矿 产业化应用 钙钛矿薄膜 从上至下 功能器件 器件功耗 市场应用 玻璃基 底电极 顶电极 结构层 均一性 开关比 掺入 制备 | ||
【主权项】：
1.一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述存储器从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。
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