[实用新型]低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线有效
| 申请号： | 201821189250.4 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN208608361U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张小磊;王孟 | 申请（专利权）人： | 西安三维通信有限责任公司 |
| 主分类号： | H01Q21/06 | 分类号： | H01Q21/06;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区丈*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，包括：辐射层(1)、耦合层(2)、馈电网络层(3)；其中，所述辐射层(1)设置于所述耦合层(2)上方；所述馈电网络层(3)设置于所述耦合层(2)下方；所述辐射层(1)上设置有去耦栅(4)和辐射缝(5)；所述去耦栅(4)位于相邻所述辐射缝(5)横向中心，减小相邻所述辐射缝(5)的互耦效应；所述去耦栅(4)为凹槽型结构。本实用新型提供的低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，通过采用凹槽型结构的去耦栅，增加电磁波在去耦栅表面的绕射距离，实现去耦栅剖面的降低，从而降低天线整体的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 去耦 平板阵列天线 低剖面 辐射层 辐射缝 栅结构 耦合层 波导 凹槽型结构 本实用新型 馈电网络层 横向中心 天线整体 电磁波 栅表面 互耦 减小 绕射 | ||
【主权项】：
1.一种低剖面去耦栅结构的波导平板阵列天线，其特征在于，包括：辐射层(1)、耦合层(2)、馈电网络层(3)；其中，所述辐射层(1)设置于所述耦合层(2)上方；所述馈电网络层(3)设置于所述耦合层(2)下方；所述辐射层(1)上设置有去耦栅(4)和辐射缝(5)；所述去耦栅(4)位于相邻所述辐射缝(5)横向中心，以减小相邻所述辐射缝(5)的互耦效应；所述去耦栅(4)为凹槽型结构。
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