[实用新型]集成电子电路

摘要

本公开涉及集成电子电路。例如，一种集成电子电路包括半导体衬底，半导体衬底具有半导体阱，其通过位于半导体阱下方的隐埋半导体区域隔离。形成在半导体阱中的垂直MOS晶体管包括由隐埋半导体区提供的源极‑漏极区域。通过将垂直MOS晶体管偏置为导通条件以提供电流，然后将电流与阈值进行比较来检测半导体衬底的背侧减薄。小于阈值的电流指示半导体衬底已经从背侧减薄。

主权项

1.一种集成电子电路，其特征在于，包括：半导体衬底，包括第一导电类型的半导体阱，所述半导体阱通过与所述第一导电类型相反的第二导电类型的隐埋半导体层来被隔离，所述隐埋半导体层位于所述半导体阱下方；以及器件，被配置为检测所述半导体衬底的背侧减薄，包括：垂直MOS晶体管，包括位于所述半导体衬底的前侧上的第一半导体电极区域以及在所述第一半导体电极区域和所述隐埋半导体层之间延伸的绝缘垂直栅极区域，所述绝缘垂直栅极区域包括所述垂直MOS晶体管的第二半导体电极区域；偏置电路，被配置为在第一操作配置中以晶体管导通状态偏置所述垂直MOS晶体管；以及比较电路，耦合至所述第一半导体电极区域和所述第二半导体电极区域中的一个电极区域，并且被配置为将由处于所述晶体管导通状态的所述第一半导体电极区域和所述第二半导体电极区域中的所述一个电极区域传送的电流与阈值进行比较，如果所述电流的值高于所述阈值，则生成具有与检测到所述半导体衬底的非减薄相对应的第一值的控制信号，而如果所述电流的值低于所述阈值，则生成具有与检测到所述半导体衬底的减薄相对应的第二值的控制信号。