[实用新型]一种半导体可饱和吸收镜结构

摘要

本实用新型公开了一种半导体可饱和吸收镜结构，本案可饱和吸收体采用8个量子阱结构，便于构成8个驻波周期，而每个量子阱采用AlGaAsP应变补偿层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、AlGaAsP应变补偿层的对称设置结构，其便于使每个量子阱位于驻波的峰值位置和便于进行应变补偿，降低累积应力造成的形变，有利于提高SESAM的使用寿命，从而提高激光器寿命，降低激光器维护成本。

主权项

1.一种半导体可饱和吸收镜结构，其特征在于包括有n‑GaAs衬底，在所述n‑GaAs衬底上依次生长有24对布拉格反射镜、8个量子阱的可饱和吸收体，其中，每对布拉格反射镜的厚度为0.25λ，λ是设计波长，每个量子阱的厚度为0.5λ，每对布拉格反射镜包括有依次的GaAs子层和AlGaAs子层，GaAs子层的厚度≤AlGaAs子层的厚度，每个量子阱包括依次的AlGaAsP应变补偿层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、InGaAs层、GaAlAs透明层、AlGaAsP应变补偿层，其中，两个AlGaAsP应变补偿层的厚度相等，3个GaAlAs透明层的厚度相等，两个InGaAs层的厚度相等，并且，InGaAs层的厚度≤GaAlAs透明层的厚度≤AlGaAsP应变补偿层的厚度。