[实用新型]一种用于抑制二次回滞的SCR器件及ESD防护电路

摘要

本实用新型属于电子电路技术领域，提供了一种用于抑制二次回滞的SCR器件及ESD防护电路；所述SCR器件包括：第一可控硅、主SCR支路、寄生SCR支路，主SCR支路包括第二双极型晶体管，寄生SCR支路包括P阱电阻和P衬底电阻，其中P阱电阻和P衬底电阻为第三双极型晶体管的基区电阻；P衬底电阻的一端和P阱电阻的第一端共接于电学阴极，P阱电阻的第二端和第二双极型晶体管的基极共接于第一双极型晶体管的集电极；本实用新型中通过寄生SCR支路辅助主SCR支路导通，使主SCR支路更容易导通，有效地抑制了传统技术中SCR器件由于多次触发而出现二次回滞现象，进而导致无法对芯片进行全面ESD保护的问题。

主权项

1.一种用于抑制二次回滞的SCR器件，其特征在于，包括：第一可控硅，包括第一双极型晶体管，其中所述第一双极型晶体管的发射极接电学阳极；主SCR支路，所述主SCR支路包括第二双极型晶体管，所述第二双极型晶体管的集电极接所述第一双极型晶体管的基极，所述第二双极型晶体管的发射极接电学阴极；寄生SCR支路，所述寄生SCR支路包括P阱电阻和P衬底电阻，其中所述P阱电阻和所述P衬底电阻为第三双极型晶体管的基区电阻，所述第三双极型晶体管的集电极接所述第一双极型晶体管的基极，所述第三双极型晶体管的发射极接所述电学阴极；其中，所述P衬底电阻的一端和所述P阱电阻的第一端共接于所述电学阴极，所述P阱电阻的第二端和所述第二双极型晶体管的基极共接于所述第一双极型晶体管的集电极。