[实用新型]一种太阳能电池芯片有效
申请号: | 201821238412.9 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN208655661U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 郁操 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 邢惠童 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能电池芯片,属于太阳能电池领域。该太阳能电池芯片包括:衬底;在所述衬底的至少一面上依次设置有本征钝化层、硅掺杂层、透明导电层、电极;以及在所述透明导电层远离所述硅掺杂层的一面设置有减反射层;所述电极穿过所述减反射层设置在所述透明导电层上;所述电极包括第一栅线叠层和第二栅线叠层;所述第一栅线叠层设置在所述透明导电层上,所述第二栅线叠层设置在所述第一栅线叠层上。本实用新型实施例提供的太阳能电池芯片,通过设置双层减反射结构,可减少入射光中多个波长段的反射光,增加太阳能电池芯片的入射光量;并通过设置两层栅线叠层,增加电极高度来减小电极的电阻,进而提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池芯片 叠层 栅线 电极 透明导电层 本实用新型 减反射层 硅掺杂 衬底 太阳能电池领域 电池效率 入射光量 依次设置 波长段 钝化层 反射光 减反射 入射光 本征 电阻 减小 两层 穿过 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池芯片,其特征在于,所述太阳能电池芯片包括:衬底(1);在所述衬底(1)的至少一面上依次设置有本征钝化层(2)、硅掺杂层(3)、透明导电层(4)和电极(5);以及在所述透明导电层(4)远离所述硅掺杂层(3)的一面设置有减反射层(6);其中,所述电极(5)穿过所述减反射层(6)设置在所述透明导电层(4)上;所述电极(5)包括第一栅线叠层(51)和第二栅线叠层(52);所述第一栅线叠层(51)设置在所述透明导电层(4)上,所述第二栅线叠层(52)设置在所述第一栅线叠层(51)上。
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