[实用新型]氮化镓晶体管有效
| 申请号： | 201821240867.4 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN208538864U | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;贾利芳;逯永建;李东昇 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;范芳茗 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化镓晶体管。该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓层上；至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间，其中，所述至少一个第二复合叠层包括堆叠的第二掺杂层和第二插入层，所述漏极电极的第一部分与至少一个所述第二掺杂层接触，所述漏极电极的第二部分与所述势垒层接触。该氮化镓晶体管中的第二复合叠层使氮化镓层处于导通状态，并在截止状态有效注入空穴，释放被捕获的电子，抑制晶体管动态导通电阻增大，增加动态电阻的稳定性，提高氮化镓晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓晶体管 漏极电极 势垒层 氮化镓层 复合叠层 源极电极 栅极电极 掺杂层 衬底 空穴 导通电阻 导通状态 动态电阻 截止状态 插入层 晶体管 堆叠 释放 申请 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶体管，包括：衬底；氮化镓层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓层上；至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间，其中，所述至少一个第二复合叠层包括堆叠的第二掺杂层和第二插入层，所述漏极电极的第一部分与至少一个所述第二掺杂层接触，所述漏极电极的第二部分与所述势垒层接触。
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