[实用新型]闪存芯片有效
| 申请号： | 201821242491.0 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN208507187U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王绍迪;郭昕婕 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式；编程电路模块，用于在模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；计算控制模块，用于在模式控制器的控制下控制闪存阵列模块进行计算。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存芯片 闪存阵列模块 模式控制器 可编程半导体器件 阈值电压 计算控制模块 本实用新型 待处理数据 编程电路 编程模式 工作模式 计算模式 模拟数据 闪存技术 数据编程 数据存储 体系结构 整体计算 可调的 处理器 分担 调控 | ||
【主权项】：
1.一种闪存芯片，其特征在于，包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式，所述工作模式包括：计算模式以及编程模式。
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