[实用新型]一种碳化硅晶体的生长装置有效

专利信息
申请号: 201821245929.0 申请日: 2018-08-03
公开(公告)号: CN208649506U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 陈华荣;张洁;廖弘基;蔡如腾 申请(专利权)人: 福建北电新材料科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362411 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型提供了一种碳化硅晶体的生长装置,用于通过物理气相沉积法生长碳化硅晶体,包括坩埚盖、盛放碳化硅原料的坩埚,坩埚盖上设置有籽晶夹持器,籽晶夹持器在碳化硅晶体生长过程中通过夹爪固定碳化硅籽晶,籽晶夹持器包括导气孔或导气槽或两者兼有,导通反应时的气流,避免气流在夹持器内凝结。
搜索关键词: 碳化硅晶体 籽晶夹持器 生长装置 坩埚盖 物理气相沉积法 本实用新型 碳化硅原料 碳化硅籽晶 生长过程 导气槽 导气孔 反应时 夹持器 导通 夹爪 盛放 坩埚 凝结 生长
【主权项】:
1.一种碳化硅晶体的生长装置,用于通过物理气相沉积法生长碳化硅晶体,包括坩埚盖、盛放碳化硅原料的坩埚,其特征在于:所述坩埚盖上设置有籽晶夹持器,所述籽晶夹持器在碳化硅晶体生长过程中通过夹爪固定碳化硅籽晶,所述籽晶夹持器包括导气孔或导气槽或两者兼有,导通反应时的气流,避免气流在夹持器内凝结。
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